| 型号：IXFT9N80Q | 类别：FET - 单 | 制造商：IXYS |
| 封装：TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA | 描述：MOSFET N-CH 800V 9A TO-268 | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 9A TO-268 |
| 系列 | HiPerFET™ |
| 制造商 | IXYS |
| FET型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 800V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 9A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 1.1 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 5V @ 2.5mA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 56nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 2200pF @ 25V |
| 功率_最大 | 180W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装 | TO-268 |
| 包装 | 散装 |
供应商
| 北京首天伟业科技有限公司 | 刘经理086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
| 深圳市旺财半导体有限公司 | 李先生86-83209217 |
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